Из известных полупроводниковых преобразователей магнитного поля наиболее перспективными считаются магниточувствительные транзисторы – приборы, обладающие высокой чувствительностью и разрешающей способностью. Магнитотранзисторами называются транзисторы, конструктивные и рабочие параметры которых оптимизированы для получения максимальной чувствительности коллекторного тока к магнитному полю. Двухколлекторный магнитотранзистор (ДМТ) представляет собой обычный «торцевой» биполярный p-n-p транзистор, коллектор которого разделен на две части. Принцип действия двухколлекторного магнитотранзистора заключается в следующем. При включении ДМТ по схеме с общим эмиттером и нагрузочными резисторами RК коллекторы оказываются включенными в мостовую схему и в отсутствие магнитного поля направляемые эмиттером носители заряда -дырки - примерно поровну распределяются между коллекторами. Токи коллекторов 1 и 2 равны, и напряжение между ними отсутствует. В поперечном магнитном поле происходит перераспределение движущихся носителей заряда между коллекторами, при этом ток коллектора 2 увеличивается, а ток коллектора 1 уменьшается, что вызывает разбаланс моста. Это приводит к изменению напряжения между коллекторами, причем с ростом магнитного поля оно увеличивается. При изменении направления магнитного поля ток коллектора 2 уменьшается, а ток коллектора 1 увеличивается и соответственно изменяется знак напряжения U между коллекторами. Наряду с перераспределением носителей заряда между коллекторами, происходит изменение эффективной толщины базы и уменьшение магнитной чувствительности. Этот недостаток устраняется путем использования магнитотранзисторов с «вертикальными» коллекторами, в котором омический контакт к базе и эмиттер расположены по разные стороны от коллекторов.