Проектирование РЧ усилителя класса Е с АМ, Ку=35 дб, P=400 Вт, F=13,56 мГц
#RF_ClassE #DigitalCAT_electronics
Обзор проектирования РЧ усилителя класса Е (RF class E power amp) с амплитудной модуляцией имеющего коэффициент усиления по мощности 35 дБ работающего на несущей частоте 13,56 мГц со средней выходной мощностью 400 Вт.
Тема проектирования усилителя класса Е даже на LF очень обширный материал и, конечно в столь кратком обзоре нельзя изложить ни теории усилителей класса Е, ни рассказать о вариантах включения резонансных контуров и граничных режимах работы.
В обзоре вы найдете: краткий обзор литературы годной для практического применения инженерами практиками не обладающими навыками HFA анализа и глубокими знаниями математического аппарата. Критерии выбора ключевого прибора, основные расчетные соотношения для случая классического идеализированного ZVS ZDS усилителя класса Е. Обзор электронных компонентов, схемных решений и выбор магнитопровода катушки индуктивности последовательного колебательного контура.
Проектируемое устройство в состав которого входит рассматриваемый в обзоре усилитель класса Е предназначено для возбуждения плазменного разряда в газовой среде низкого давления. Прибор для проведения биофизических экспериментов. Выходной импеданс усилителя согласован с 50 Ом нагрузкой, конечно, разряд в газовой среде низкого давления не будет представлять из себя 50 Ом с компенсированной мнимой частью комплексного сопротивления, но проектирование согласующего устройства - тема отдельного обзора.
Помимо собственно усилителя, в устройство входит генератор несущей частоты, драйвер ключевого усилителя, амплитудный ключевой модулятор и его драйвер, схема гальванической развязки и смещения уровня для драйвера верхнего плеча - АМ модулятора, узел измерения мощности и КСВ по схеме Tandem Match с двумя Log Amp(ами) для отраженной и прямой волны соответственно обеспечивается направленность не ниже 35 дБ. Изолированный источник питания для драйвера верхнего плеча.
Да, вы не ослышались это не опечатка, в ключевых усилителях класса Е возможна амплитудная модуляция несущей.
Амплитудная модуляция осуществляется напряжением источника питания на сток ключевого MOSFET RF Power AMP. Глубина амплитудной модуляции близка к 100%. Частотный диапазон модулирующего сигнала - 2Гц - 200 кГц. В данном приборе нет необходимости передать огибающую или не искаженный синусоидальный сигнал.
Элементная база устройства:
MOSFET RF Power amp - Lite Fuse (IXYS) DE275-102N06
Low side MOSFET Driver - IXRFD631
MOSFET Switch AM - IXFB132N50P3
Наш канал:
1 view
13
2
2 months ago 00:15:59 1
Проектирование трассы в программном комплексе Leica Captivate роботизированного тахеометра
12 months ago 00:15:29 1
Проектирование РЧ усилителя класса Е с АМ, Ку=35 дб, P=400 Вт, F=13,56 мГц
3 years ago 00:07:58 1
PADS Professional РЧ и СВЧ проектирование - Урок 5
3 years ago 00:06:37 1
PADS Professional РЧ и СВЧ проектирование - Урок 4
3 years ago 00:03:43 1
PADS Professional РЧ и СВЧ проектирование - Урок 3
3 years ago 00:10:17 1
PADS Professional РЧ и СВЧ проектирование - Урок 2
4 years ago 00:04:54 3
PADS Professional РЧ и СВЧ проектирование - Урок 1
4 years ago 00:07:37 1
Цокольный этаж | Армирование, монтаж опалубки и бетонирование | Резиденция 1250 м2 | Видео #2
4 years ago 00:07:25 2
Устройство плиты фундамента | Земельные работы | Резиденция 1250 м2 | Видео #1
4 years ago 00:05:04 1
ЛЕНТОЧНЫЙ ФУНДАМЕНТ | Резиденция 1250 м2 | Видео #3
5 years ago 00:02:30 7
IndorCulvert. Урок 6: создание вариантов конструкции трубы по типовым проектам
5 years ago 00:43:11 2
Генерал Ивашов о секретах КГБ СССР и Минобороны СССР / #УГЛАНОВ #ИВАШОВ #ЗАУГЛОМ