Драйвер для MOSFET и IGBT _ Принцип выбора и расчет. Часть 2

Рассмотрено принцип работы полевого транзистора MOSFET. Основное внимание сосредоточенно на процессах, протекающих при открывании и закрывании транзистора. Время включения MOSFET состоит из задержки времени на включение и времени нарастания. Время выключения полевого транзистора состоит из суммы времен спада и задержки на выключение. Эти параметры определяются величинами паразитных емкостей и емкости затвора, которые в свою очередь часто выражают в величине заряда. Величины емкостей и зарядов MOSFET приводятся в даташите на транзистор. В данном видео рассмотрены основные параметры полевых транзисторов, приводимых в даташите. Эти параметры служат основной точкой для расчета и выбора драйвера для MOSFET и IGBT.