Модули силовые Infineon - BSM50GX120DN2, BSM75GB120DN2, FZ1800R12KL4C

1. BSM50GX120DN2 Модуль силовой Infineon. Внутренняя схема GBL, B6U Кол-во ключей в модуле 7 Напряжение К-Э 1200В Рабочий ток при 25°C 80А 2. BSM75GB120DN2 Модуль силовой Infineon. Структура: полумост Максимальное напряжение КЭ ,В 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 105 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 625 Рабочая температура (Tj), °C 150(max) Корпус HALF-BRIDGE 1 Вес, г 250 3. FZ1800R12KL4C Модуль силовой Infineon. Модуль силовой, биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 1800A SINGLE. Конфигурация Triple Common Emitter Common Gate. Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V. Непрерывный коллекторный ток при 25 C 2850 A. Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA. Рассеяние мощности 11.4 KW. Максимальная рабочая температура