Мемристор

Мемристор (англ. memristor, от memory - “память“, и resistor - “электрическое сопротивление“) - новый пассивный элемент в микроэлектронике, способный изменять свое сопротивление. Мемристор - это элемент, работающий в условиях переменного тока, электрическое сопротивление которого зависит от полярности прилагаемого напряжения. Самым главным качеством мемристора - именно мемристивностью - является зависимость сопротивления от заряда, пропущенного через элемент. Мемристор состоит из тонкого слоя диоксида титана, расположенного между двумя платиновыми электродами. Под действием приложенного напряжения происходит изменение кристаллической структуры диоксида титана. Это изменение приводит к увеличению сопротивления элемента в тысячи раз, причем при отключении источника тока элемент сохраняет изменения, возникшие при протекании через него заряда. Это свойство может быть использовано для создания элементов памяти нового типа, которые могут придти на смену нынешним DRAM, но, в отличие от последних, не теряющих информацию при отключении напряжения. Разработчики описали действующий прототип мемристора, который использовали в экспериментальном коммутационном устройстве, способном разместить 100 Гбит информации на одной полупроводниковой пластине (нынешний рекорд для микросхем флэш-памяти - 16 Гбит). Hewlett-Packard предполагает, что к 2012 году мемристоры начнут заменять собою флеш-память, в 2014-2016 - оперативную память и жесткие диски. Таким образом, по самым оптимистичным оценкам “мемристорные“ компьютеры появятся на рынке не раньше, чем через 20 лет.